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      Product laser

      產(chǎn)品中心
      IGBT/SiC激光退火設備
      產(chǎn)品簡介
      精確的單/雙脈沖控制,對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火,實現(xiàn)激活深度,有效修復離子注入破壞的晶格結構。
      產(chǎn)品特點

      激活深度≥7μm

      單位小時產(chǎn)出>25 @8"

      優(yōu)異的方阻均勻性和表面顏色

      完整的全程監(jiān)控反饋能力

      支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

      具備激光輔助加熱系統(tǒng)

      應用領域
      標準晶圓、平邊晶圓、Notch晶圓、Taiko晶圓
      技術指標
      設備型號 DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
      適用晶圓尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
      激光能量密度 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2
      激光穩(wěn)定性 ≤ 2%,RMS
      激活率 ≥95% @B Implant,≥90% @P Implant
      均勻性 片內(nèi):≤1%,片間:≤1%,@8",RS
      潔凈度控制 ≤30 @ 0.5μm,≤5 @ 1μm
      自動傳片系統(tǒng) 雙晶圓裝載口、多關節(jié)機器手、預準直器
      應用案例