激光LIA技術(shù)

Laser LIA technology

應(yīng)用原理 / Principle

Light-Induced Annealing（LIA）： α-Si：H/c-Si的界面存在大量的界面態(tài)（Si懸掛鍵），研究發(fā)現(xiàn)，在光照的情況下，對此結(jié)構(gòu)進行加熱退火，可以有效減少界面態(tài)（Si懸掛鍵）密度，降低界面復(fù)合，從而提高非晶硅的鈍化效果。這個現(xiàn)象稱之為光誘導(dǎo)退火，簡稱LIA；HJT電池結(jié)構(gòu)中，存在α-Si：H /c-Si的界面；在光照情況下，對HJT電池進行加熱退火，發(fā)現(xiàn)電池轉(zhuǎn)換效率明顯上升，主要體現(xiàn)在Voc和FF的提升上。

工藝簡介

Process Introduction

激光LIA技術(shù)：通過超高功率激光照射HJT電池片，產(chǎn)生大量光生載流子改變α-Si：H中氫的價態(tài)，使得α-Si：H/c-Si界面復(fù)合降低，因此能提升HIT電池的Voc；并且能夠改善TCO層導(dǎo)電性能，降低Ag/TCO的接觸電阻，從而提高HJT電池的FF。